如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）