當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。