進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。