互連工藝中AL的制備可選用（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。