下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的特點包括（）。