影響封裝芯片特性的溫度有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的特點包括（）。