IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現圖形的轉移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。