下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。