芯片粘接的工藝過程包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

CMP的設備構(gòu)成包括（）。