化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。