CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

CMP的設備構成包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。