當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。