進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

常壓的硅外延方法有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。