給定器件結(jié)構(gòu)和摻雜分布，采用數(shù)值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬態(tài)特性和某些電學參數(shù)））。
最新試題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
摻雜后退火時間一般在（）。
常壓的硅外延方法有（）。
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
光刻工藝對準誤差包括（）。
鳥嘴效應造成的不良影響有（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。