單項(xiàng)選擇題由靜電釋放產(chǎn)生的電流泄放最大電壓可以達(dá)()。
A.幾伏
B.幾十伏
C.幾百伏
D.幾萬伏
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1.單項(xiàng)選擇題ESD產(chǎn)生()種不同的靜電總類。
A.1
B.4
C.3
D.2
2.單項(xiàng)選擇題靜電釋放的英文簡(jiǎn)述為()。
A.ESC
B.SED
C.ESD
D.SEM
3.單項(xiàng)選擇題危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是()。
A.2族金屬
B.堿金屬
C.合金金屬
D.稀有金屬
4.單項(xiàng)選擇題懸浮在空氣中的顆粒稱為()。
A.懸浮物
B.塵埃
C.污染顆粒
D.浮質(zhì)
5.單項(xiàng)選擇題沾污引起的電學(xué)缺陷引起(),硅片上的管芯報(bào)廢以及很高的芯片制造成本。
A.不會(huì)影響成品率
B.晶圓缺陷
C.成品率損失
D.晶圓損失
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一般情況下,刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是()
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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()
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刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題