單項(xiàng)選擇題（）是以物理的方法來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
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1.單項(xiàng)選擇題物理氣相沉積簡(jiǎn)稱（）。
A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD
2.多項(xiàng)選擇題薄膜沉積的機(jī)構(gòu)包括那些步驟（）。
A.形成晶核
B.晶粒成長(zhǎng)
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)
E.沉積膜成長(zhǎng)
3.多項(xiàng)選擇題晶片表面上的粒子是通過(guò)（）到達(dá)晶片的表面。
A.粒子擴(kuò)散
B.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送
C.化學(xué)反應(yīng)
D.被表面吸附
E.靜電吸引
4.單項(xiàng)選擇題薄膜沉積的機(jī)構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個(gè)步驟。其中不包括（）。
A.形成晶核
B.晶粒自旋
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)
5.單項(xiàng)選擇題硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過(guò)（）到達(dá)晶片表面的。
A.粒子的擴(kuò)散
B.化學(xué)反應(yīng)
C.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送
D.被表面吸附
最新試題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下是離子注入過(guò)程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在顯影過(guò)程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題