單項選擇題請在下列選項中選出多晶硅化金屬的英文簡稱:()。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
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1.單項選擇題請在下列選項中選出硅化金屬的英文簡稱:()。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
2.單項選擇題單晶硅刻蝕一般采用()做掩蔽層,以氟化氫為主要的刻蝕劑,氧氣為側壁鈍化作用的媒介物。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻膠
D.多晶硅
3.單項選擇題在IC芯片生長中淺溝槽隔離技術STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成為相鄰電子元件的絕緣體
A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢壘
D.場氧化層
4.單項選擇題在生產過程中必須使用()來完成淺溝槽隔離STI。
A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕
5.單項選擇題在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF4的()內加入適量的氫氣,能夠降低刻蝕的速率。
A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體
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