單項(xiàng)選擇題請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻膠
D.多晶硅
2.單項(xiàng)選擇題在IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體
A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢(shì)壘
D.場(chǎng)氧化層
3.單項(xiàng)選擇題在生產(chǎn)過(guò)程中必須使用（）來(lái)完成淺溝槽隔離STI。
A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕
4.單項(xiàng)選擇題在刻蝕二氧化硅過(guò)程中假如我們?cè)贑F4的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。
A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體
5.單項(xiàng)選擇題在刻蝕（）過(guò)程中假如我們?cè)贑F5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。
A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅
最新試題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：?jiǎn)柎痤}
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題