單項(xiàng)選擇題在各種離子源常用的放電方式中,EOS是指有()。
A.電子振蕩放電
B.離子自動(dòng)放電
C.低電壓弧光放電
D.雙等離子電弧放電
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1.多項(xiàng)選擇題離子注入的主要?dú)怏w源中,劇毒的有()。
A.砷化氫
B.二硼化氫
C.四氟化硅
D.三氟化磷
E.五氟化磷
2.單項(xiàng)選擇題離子注入裝置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系統(tǒng)等。
A.中子源
B.離子源
C.電子源
D.質(zhì)子源
3.單項(xiàng)選擇題早期,研究離子注入技術(shù)是用()來(lái)進(jìn)行的。
A.重離子加速器
B.熱擴(kuò)散爐
C.質(zhì)子分析儀
D.輕離子分析器
4.單項(xiàng)選擇題()的氣體源中一般包含H+,C+,B+,Cl+,O+等離子。
A.Cl2
B.BCl3
C.CO2
D.H2
5.單項(xiàng)選擇題離子源產(chǎn)生的離子在()的加速電場(chǎng)作用下得到加速。
A.分析器
B.掃描器
C.加速器
D.偏轉(zhuǎn)器
最新試題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi),此工序采用的設(shè)備是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有()
題型:多項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()
題型:多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感,但對(duì)()光不敏感。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
題型:多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題