A.源蒸氣
B.雜質(zhì)和惰性氣體混合物
C.水蒸氣和雜志混合物
D.雜質(zhì)、惰性氣體、水蒸氣混合物
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A.恒定總摻雜劑量
B.不恒定總摻雜劑量
C.恒定雜志濃度
D.不恒定雜志濃度
A.傳輸率
B.載流子濃度
C.擴(kuò)散梯度
D.擴(kuò)散系數(shù)
A.填隙擴(kuò)散
B.雜質(zhì)擴(kuò)散
C.推擠擴(kuò)散
D.自擴(kuò)散
A.推擠擴(kuò)散
B.雜質(zhì)擴(kuò)散
C.填隙擴(kuò)散
D.自擴(kuò)散
A.自擴(kuò)散機(jī)制
B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制
C.空位機(jī)制
D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制
最新試題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是()
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感,但對(duì)()光不敏感。
根據(jù)曝光模式,光制機(jī)的種類分為()。
以下是離子注入過(guò)程中的主要參數(shù)的是()
一般情況下,刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是()
試說(shuō)明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理?為什么要加隔離點(diǎn)?
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí),判斷其造成原因有()
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。