單項(xiàng)選擇題在空位擴(kuò)散中,如果遷移的空位的原子是雜質(zhì)原子,擴(kuò)散稱(chēng)為()。
A.填隙擴(kuò)散
B.雜質(zhì)擴(kuò)散
C.推擠擴(kuò)散
D.自擴(kuò)散
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1.單項(xiàng)選擇題在空位擴(kuò)散中,如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子,擴(kuò)散屬于()。
A.推擠擴(kuò)散
B.雜質(zhì)擴(kuò)散
C.填隙擴(kuò)散
D.自擴(kuò)散
2.單項(xiàng)選擇題固體中的擴(kuò)散模型主要有填隙機(jī)制和()。
A.自擴(kuò)散機(jī)制
B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制
C.空位機(jī)制
D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制
3.單項(xiàng)選擇題對(duì)于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子,可以采用()方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴(kuò)散
4.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作()。
A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結(jié)
5.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝,現(xiàn)在主要被用來(lái)制作()。
A.埋層
B.外延
C.PN結(jié)
D.擴(kuò)散電阻
E.隔離區(qū)
最新試題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感,但對(duì)()光不敏感。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過(guò)程中,對(duì)刻蝕的要求是()
題型:多項(xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是()
題型:多項(xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法?
題型:?jiǎn)柎痤}
在顯影過(guò)程中,對(duì)于正性抗蝕劑,顯影液的使用要求是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是()
題型:多項(xiàng)選擇題