雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。

變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評價（）的重要標(biāo)志。

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）

厚膜元件燒結(jié)時，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。

半導(dǎo)體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。

潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤、管帽和引線，（）做絕緣和密封。