單項(xiàng)選擇題pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。
A.擴(kuò)散層質(zhì)量
B.設(shè)計(jì)
C.光刻
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1.單項(xiàng)選擇題器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實(shí)現(xiàn)。
A.掩膜版
B.擴(kuò)散
C.光刻
2.單項(xiàng)選擇題反應(yīng)離子腐蝕是（）。
A.化學(xué)刻蝕機(jī)理
B.物理刻蝕機(jī)理
C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合
3.單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。
A.高斯
B.余誤差
C.指數(shù)
4.單項(xiàng)選擇題常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。
A.熱塑性樹脂
B.熱固性或橡膠型膠粘劑
5.單項(xiàng)選擇題在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2％（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98％（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20％的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。
A.80％～90％
B.10％～20％
C.40％-50％
最新試題
引線焊接有哪些質(zhì)量要求？
題型：?jiǎn)柎痤}
雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。
題型：填空題
反應(yīng)離子腐蝕是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
題型：填空題
禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？
題型：?jiǎn)柎痤}
變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題