單項(xiàng)選擇題厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。
A.降低
B.升高
C.保持不變
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1.單項(xiàng)選擇題非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。
A.熱阻
B.阻抗
C.結(jié)構(gòu)參數(shù)
3.單項(xiàng)選擇題雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。
A.基區(qū)寬度
B.外延層厚度
C.表面界面狀態(tài)
4.單項(xiàng)選擇題變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。
A.正偏電流
B.反偏電壓
C.結(jié)溫
5.單項(xiàng)選擇題禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
最新試題
濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。
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典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？
題型：?jiǎn)柎痤}
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？
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有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？
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在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2％（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98％（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20％的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
外殼設(shè)計(jì)包括（）設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而可靠性設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有（）、模具溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
反應(yīng)離子腐蝕是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？
題型：?jiǎn)柎痤}