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A.擴(kuò)散層質(zhì)量
B.設(shè)計
C.光刻
A.掩膜版
B.擴(kuò)散
C.光刻
A.化學(xué)刻蝕機(jī)理
B.物理刻蝕機(jī)理
C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合
A.高斯
B.余誤差
C.指數(shù)
最新試題
半導(dǎo)體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是:良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的(),使芯片的熱量有效地散逸出去,保證器件在正常結(jié)溫下工作。
禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導(dǎo)帶的難易,一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬,所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。
雙極晶體管的1c7r噪聲與()有關(guān)。
熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用()化合物,經(jīng)過熱分解反應(yīng),在基片表面淀積二氧化硅。
超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接,焊接處依靠()封接,因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝,外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是()。
簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求?你如何檢查你的工藝質(zhì)量?
pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù),也是評價()的重要標(biāo)志。
變?nèi)荻O管的電容量隨()變化。
外殼設(shè)計包括()設(shè)計、熱性能設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計三部分,而可靠性設(shè)計也包含在這三部分中間。