濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。

pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。

半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。

雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）

簡(jiǎn)述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。