填空題禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。
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1.單項選擇題雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。
A.hFEVces
B.BVce
C.ftfm
2.單項選擇題半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。
A.熱阻
B.阻抗
C.結(jié)構(gòu)參數(shù)
3.單項選擇題在低溫玻璃密封工藝中，常用的運載劑由2％（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98％（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20％的運載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。
A.80％～90％
B.10％～20％
C.40％-50％
4.問答題引線焊接有哪些質(zhì)量要求？
5.單項選擇題變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。
A.正偏電流
B.反偏電壓
C.結(jié)溫
7.單項選擇題禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
8.問答題有哪幾種常用的化學氣相淀積薄膜的方法？
9.單項選擇題非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm
10.問答題潔凈區(qū)工作人員應注意些什么？
最新試題
pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評價（）的重要標志。
題型：單項選擇題
什么叫晶體缺陷？
題型：問答題
熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應，在基片表面淀積二氧化硅。
題型：填空題
平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點的（）。壓力太大，電阻值下降，對形成焊點不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點。
題型：單項選擇題
半導體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學組成可分為（）半導體、（）半導體、固溶半導體三大類。
題型：填空題
粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？
題型：問答題
超聲熱壓焊的主要應用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。
題型：單項選擇題
典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？
題型：問答題
簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？
題型：問答題
簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？
題型：問答題