判斷題通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
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1.單項選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
2.單項選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
4.判斷題MBE只能用于III-V族化合物的生長。
5.名詞解釋等離子體
最新試題
當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
題型：單項選擇題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型：判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
AFM通常用來觀測樣品表面形貌。
題型：判斷題
敏化劑
題型：名詞解釋
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
題型：判斷題
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型：單項選擇題
磁滯回線
題型：名詞解釋
非本征光電導(dǎo)
題型：名詞解釋
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。
題型：判斷題