判斷題AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
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1.單項選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
2.單項選擇題當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
3.單項選擇題一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級
A.柵極長度
B.漏極寬度
C.柵極寬度
D.以上都不是
最新試題
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型：判斷題
本征光電導(dǎo)
題型：名詞解釋
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。
題型：判斷題
敏化劑
題型：名詞解釋
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
題型：單項選擇題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型：判斷題
本征吸收
題型：名詞解釋
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
題型：判斷題
當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
題型：單項選擇題