集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.19)

來源：考試資料網(wǎng)

1 采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。

2 涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，這一步驟稱為（）。

3 在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。

4 電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。

5 離子源的基本結(jié)構(gòu)是由產(chǎn)生高密度等離子體的（）和引出部分組成。