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集成電路制造工藝員(三級(jí))單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.16)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1
在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中,硼在950~1100℃的條件下,擴(kuò)散時(shí)間大約()為宜。
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2
單晶硅刻蝕一般采用()做掩蔽層,以氟化氫為主要的刻蝕劑,氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。
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3
Torr是指()的單位。
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4
在直流二極管輝光放電系統(tǒng)的玻璃管中,自由電子在碰撞氬原子之前可運(yùn)動(dòng)的平均距離又叫()。
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5
用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料,是形成電極的()。
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