單項選擇題在直流二極管輝光放電系統(tǒng)的玻璃管中,自由電子在碰撞氬原子之前可運(yùn)動的平均距離又叫()。
A.平均運(yùn)動范圍
B.平均速度
C.平均碰撞距離
D.平均自由程
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1.多項選擇題從電極的結(jié)構(gòu)看,濺射的方法包括()。
A.直流濺射
B.交流濺射
C.二級濺射
D.三級濺射
E.四級濺射
2.多項選擇題濺射的方法非常多其中包括()。
A.直流濺射
B.交流濺射
C.反應(yīng)濺射
D.二級濺射
E.三級濺射
3.多項選擇題一般來說,濺射鍍膜的過程包括()這幾步。
A.產(chǎn)生一個離子并導(dǎo)向靶
B.被轟擊的原子向硅晶片運(yùn)動
C.離子把靶上的原子轟出來
D.經(jīng)過加速電場加速
E.原子在硅晶片表面凝結(jié)
4.單項選擇題()是指每個入射離子濺射出的靶原子數(shù)。
A.濺射率
B.濺射系數(shù)
C.濺射效率
D.濺射比
5.單項選擇題()方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。
A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積
最新試題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時,一般使用()。
題型:單項選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是()
題型:多項選擇題
刻蝕的過程中,對刻蝕的要求是()
題型:多項選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
題型:多項選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi),此工序采用的設(shè)備是()
題型:單項選擇題
敘述測試晶體管的方法?
題型:問答題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是()
題型:單項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()
題型:多項選擇題
()可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動把粒子進(jìn)行篩選,挑選出唯一需要注入的離子。
題型:單項選擇題