單項(xiàng)選擇題用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。
A.重要步驟
B.次要步驟
C.首要步驟
D.不一定
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1.多項(xiàng)選擇題為了滿足半導(dǎo)體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應(yīng)該滿足（）。
A.低電阻率
B.易與p或n型硅形成歐姆接觸
C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)
D.易于光刻
E.便于進(jìn)行鍵合
2.單項(xiàng)選擇題（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進(jìn)行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
3.單項(xiàng)選擇題（）是以物理的方法來進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
4.單項(xiàng)選擇題物理氣相沉積簡稱（）。
A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD
5.多項(xiàng)選擇題薄膜沉積的機(jī)構(gòu)包括那些步驟（）。
A.形成晶核
B.晶粒成長
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)
E.沉積膜成長
最新試題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）
題型：單項(xiàng)選擇題