集成電路技術綜合練習章節(jié)練習(2018.02.16)

來源：考試資料網

1.問答題Cadence公司的EDA產品有哪些功能？

參考答案：系統(tǒng)級設計、功能驗證、IC綜合及布局布線、模擬混合信號及射頻IC設計、全制定集成電路設計、IC物理驗證、PCB設計和硬件...

2.問答題以N阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝有哪些優(yōu)缺點？

參考答案：工藝中添加了基區(qū)摻雜的工藝步驟，這樣就形成了較薄的基區(qū)，提高了NPN晶體管的性能；
制作NPN管的N阱將NPN...

3.問答題金屬布線按照在集成電路中的作用可以分為哪些？

互連、接觸、栓塞

4.問答題為了降低系統(tǒng)失配，在版圖設計時可采取哪些技術？

參考答案：單元元器件復制技術、在元器件周圍增加“啞”單元、要求匹配元器件直接的距離盡量接近并且擺放方向相同...

5.問答題形成SOI材料的主要技術有哪些？

注氧隔離技術、鍵合減薄技術、智能剝離技術。

6.問答題硅片研磨及清洗后為什么要進行化學腐蝕？

工序目的：去除表面因加工應力而形成的損傷層及污染

7.問答題電學設計規(guī)則與幾何設計規(guī)則的區(qū)別是什么？

參考答案：區(qū)別：手工設計集成電路或單元中，幾何設計規(guī)則是圖形編輯的依據(jù)，電學設計規(guī)則是分析計算的依據(jù)。VLSI設計中，幾何設計規(guī)則...

8.問答題為什么說MOS電容的組成復雜？

MOS管有多層介質：在柵極電極的下面有一層SIO2介質SIO2下面是P型襯底，襯底比較厚襯底電極同襯底之間必須是歐姆接觸

9.問答題通過濾波電容進行抗干擾，濾波電容一般加在哪些地方？

電源線上和版圖空余地方

10.問答題為什么晶體管的反向工作狀態(tài)一般不用，尤其是在集成電路中更是如此？

參考答案：由于晶體管的實際結構不對稱，特別是在集成電路中，發(fā)射區(qū)嵌套在基區(qū)內，基區(qū)嵌套在集電區(qū)內，發(fā)射結比集電結小很多反向電流放大...