集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.02.11)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.名詞解釋電壓傳輸特性

指電路的輸出電壓VO隨輸入電壓Vi變化而變化的性質(zhì)或關(guān)系（可用曲線(xiàn)表示，與晶體管電壓傳輸特性相似）。

2.問(wèn)答題為什么正膠在顯影時(shí)很容易被去掉？

因?yàn)檎z在曝光時(shí)被光照的光刻膠發(fā)生分解反應(yīng)。

3.問(wèn)答題制作硅柵具體步驟是什么？

生長(zhǎng)緩沖層、溝道區(qū)注入、離子注入、CVD工藝淀積多晶硅、多晶硅摻雜、光刻和刻蝕形成多晶硅柵的圖形。

4.問(wèn)答題在正式用Cadence畫(huà)版圖之前要先構(gòu)思或想一想哪些問(wèn)題？

仔細(xì)想一想每個(gè)管子應(yīng)該怎樣安排，管子之間怎樣連接，最后的電源線(xiàn)、地線(xiàn)怎樣走

5.問(wèn)答題光刻的曝光方式有幾種？各有何特點(diǎn)？

參考答案：接觸和非接觸兩種，非接觸分為接近式和投影式
接觸式：精確度高，但掩膜易磨損，消耗大非接觸式
接近式：...

6.問(wèn)答題在MOS及雙極型器件中，多晶硅可用來(lái)做什么？

柵極、源極與漏極（或雙極器件的基區(qū)與發(fā)射區(qū)）的歐姆接觸、基本連線(xiàn)、薄PN結(jié)的擴(kuò)散源、高值電阻等

7.問(wèn)答題接觸曝光方式的關(guān)鍵技術(shù)有哪些？它的主要優(yōu)缺點(diǎn)是什么？

參考答案：需要一股很粗的光束、一個(gè)很大的透鏡，以及一套良好的光學(xué)系統(tǒng)；
精確度較高但非理想接觸導(dǎo)致LSI芯片合格率不高，...

8.問(wèn)答題簡(jiǎn)述MOS管的導(dǎo)電溝道是如何形成的。

是P和N半導(dǎo)體相互浸入形成的。
如果外部不加控制電壓就有導(dǎo)電溝道的是耗盡型
如果需要外部加控制電壓才有導(dǎo)電溝道的是增強(qiáng)型。

9.問(wèn)答題什么是集成電路的無(wú)生產(chǎn)線(xiàn)（Fabless）設(shè)計(jì)模式？

只設(shè)計(jì)電路而沒(méi)有生產(chǎn)線(xiàn)

10.問(wèn)答題開(kāi)發(fā)多晶硅技術(shù)解決了什么問(wèn)題？

常規(guī)CMOS結(jié)構(gòu)的閂鎖效應(yīng)嚴(yán)重地影響電路的可靠性，解決閂鎖效應(yīng)