進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設備構成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。