問(wèn)答題什么樣的光刻設(shè)備對(duì)應(yīng)的過(guò)程是怎樣的?
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2.問(wèn)答題光刻過(guò)程需要哪八大步驟?每個(gè)步驟的作用?
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4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻的目的?
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述傳統(tǒng)金屬化和雙大馬士革流程?
最新試題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題