硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。