你可能感興趣的試題

填空題
（）和（）是半導(dǎo)體的主要載流子，N型半導(dǎo)體中（）濃度高于（）濃度，而 P型半導(dǎo)體中（）濃度高于電子濃度，（）半導(dǎo)體中的兩種載流子濃度相等。
答案：電子；空穴；電子；空穴；空穴；本證
填空題
半導(dǎo)體晶體的晶胞具有（）對稱性， Si、Ge 、GaAs 晶體為（）結(jié)構(gòu)。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。
答案：立方；金剛石；密勒指數(shù)
填空題
半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）
答案：點缺陷、位錯、層錯、孿晶
填空題
集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）
答案：提拉法和區(qū)熔法
填空題
摩爾定律的主要內(nèi)容是（）。
答案：晶體管特征尺寸每三年減小到約70%，30年內(nèi)有效，也可表示為集成電路的特征尺寸每三年縮小30%；集成度每三年翻二翻，集成...
填空題
（）和（）是半導(dǎo)體器件的最常用摻雜方法。（）、（）是Si常用的施主雜質(zhì)；（）是Si常用的受主雜質(zhì)；（）是GaAs常用的P型摻雜劑；（）是GaAs常用的N型摻雜劑。
答案：熱擴散；離子注入；P；As；B；Zn；Si
問答題
【簡答題】畫出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。
答案：
填空題
半導(dǎo)體集成電路主要的襯底材料有單元晶體材料（）、（）和化合物晶體材料（）、（）；硅COMS集成電路襯底單晶的晶向常選（）；TTL集成電路襯底材料的晶向常選（）；常用的硅集成電路介電薄膜是（）、（）；常用的IC互連線金屬材料是（）、（）。
答案：Si；Ge；GaAs；InP；（100）；（111）；SiO₂；Si₃N₄；Al；Cu
問答題
【簡答題】簡述1990年代CMOS工藝技術(shù)特征：特征尺寸、晶圓尺寸、襯底、隔離、源漏、柵極材料、光刻光源、曝光方式（光刻機）、刻蝕、互連材料及方式等。
答案：
問答題
【簡答題】簡述CMOS雙阱工藝，畫出標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極工藝流程示意圖。
答案：

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【簡答題】畫出N型半導(dǎo)體的能帶圖和P型半導(dǎo)體的能帶圖。

你可能感興趣的試題

（）和（）是半導(dǎo)體的主要載流子，N型半導(dǎo)體中（）濃度高于（）濃度，而 P型半導(dǎo)體中（）濃度高于電子濃度，（）半導(dǎo)體中的兩種載流子濃度相等。

半導(dǎo)體晶體的晶胞具有（）對稱性， Si、Ge 、GaAs 晶體為（）結(jié)構(gòu)。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。

半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）

集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）

摩爾定律的主要內(nèi)容是（）。

（）和（）是半導(dǎo)體器件的最常用摻雜方法。（）、（）是Si常用的施主雜質(zhì)；（）是Si常用的受主雜質(zhì)；（）是GaAs常用的P型摻雜劑；（）是GaAs常用的N型摻雜劑。

【簡答題】畫出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。

【簡答題】簡述1990年代CMOS工藝技術(shù)特征：特征尺寸、晶圓尺寸、襯底、隔離、源漏、柵極材料、光刻光源、曝光方式（光刻機）、刻蝕、互連材料及方式等。

【簡答題】簡述CMOS雙阱工藝，畫出標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極工藝流程示意圖。

【簡答題】畫出N型半導(dǎo)體的能帶圖和P型半導(dǎo)體的能帶圖。

你可能感興趣的試題

（）和（）是半導(dǎo)體的主要載流子，N型半導(dǎo)體中（）濃度高于（）濃度，而 P型半導(dǎo)體中（）濃度高于 電子濃度，（）半導(dǎo)體中的兩種載流子濃度相等。

半導(dǎo)體晶體的晶胞具有（）對稱性， Si、Ge 、GaAs 晶體為（）結(jié)構(gòu)。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。

半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）

集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）

摩爾定律的主要內(nèi)容是（）。

（）和（）是半導(dǎo)體器件的最常用摻雜方法。（）、（）是Si常用的施主雜質(zhì)；（）是Si常用的受主雜質(zhì)；（）是GaAs常用的P型摻雜劑；（）是GaAs常用的N型摻雜劑。

【簡答題】畫出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。

【簡答題】簡述1990年代CMOS工藝技術(shù)特征：特征尺寸、晶圓尺寸、襯底、隔離、源漏、柵極材料、光刻光源、曝光方式（光刻機）、刻蝕、互連材料及方式等。

【簡答題】簡述CMOS雙阱工藝，畫出標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極工藝流程示意圖。

【簡答題】畫出N型半導(dǎo)體的能帶圖和P型半導(dǎo)體的能帶圖。

（）和（）是半導(dǎo)體的主要載流子，N型半導(dǎo)體中（）濃度高于（）濃度，而 P型半導(dǎo)體中（）濃度高于電子濃度，（）半導(dǎo)體中的兩種載流子濃度相等。

半導(dǎo)體晶體的晶胞具有（）對稱性， Si、Ge 、GaAs 晶體為（）結(jié)構(gòu)。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。

摩爾定律的主要內(nèi)容是（）。

（）和（）是半導(dǎo)體器件的最常用摻雜方法。（）、（）是Si常用的施主雜質(zhì)；（）是Si常用的受主雜質(zhì)；（）是GaAs常用的P型摻雜劑；（）是GaAs常用的N型摻雜劑。

【簡答題】畫出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。

【簡答題】簡述1990年代CMOS工藝技術(shù)特征：特征尺寸、晶圓尺寸、襯底、隔離、源漏、柵極材料、光刻光源、曝光方式（光刻機）、刻蝕、互連材料及方式等。

【簡答題】簡述CMOS雙阱工藝，畫出標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極工藝流程示意圖。