刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）