光刻工藝的特點包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。