光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）