刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。