下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

常壓的硅外延方法有（）。