光刻工藝的特點包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

摻雜后，退火的目的是（）。