?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
A.高電平，高電平
B.低電平，高電平
C.高電平，低電平
D.低電平，低電平
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A.可作電壓跟隨器使用
B.可用于多級(jí)電路中做緩沖器，進(jìn)行阻抗變換
C.良好的參數(shù)特性使其非常適合用于單級(jí)電壓放大
D.良好的參數(shù)特性使其非常適合用于單級(jí)電流放大
A.穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)
B.控制器件輸入信號(hào)vgs的大小，避免因vi過大產(chǎn)生非線性失真
C.降低電壓增益
D.提高輸入輸出電阻
最新試題
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號(hào)無效，計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長時(shí)間？（）
?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào)，請(qǐng)問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）
?verilog語法中，間隔符號(hào)主要包括（）。
用作電壓放大器時(shí)，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?