?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
A.A =1，B =0，D =0
B.A =0，B =1，D =1
C.A =1，B =1，D =0
D.A =0，B =1，C =1
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?某次電路實驗中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實驗。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實驗過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
A.高電平，高電平
B.低電平，高電平
C.高電平，低電平
D.低電平，低電平
A.可作電壓跟隨器使用
B.可用于多級電路中做緩沖器，進(jìn)行阻抗變換
C.良好的參數(shù)特性使其非常適合用于單級電壓放大
D.良好的參數(shù)特性使其非常適合用于單級電流放大
最新試題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動。
?在使用verilog描述一個二選一的數(shù)據(jù)選擇器時，使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語句對應(yīng)的是（）。
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)？（）
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有（）。
?verilog語法中，間隔符號主要包括（）。
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CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。