判斷題在熱氧化過(guò)程的初始階段，二氧化硅的生長(zhǎng)速率由氧化劑通過(guò)二氧化硅層的擴(kuò)散速率決定，處于線性氧化階段。
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2.問(wèn)答題列出幾種常見(jiàn)封裝的名稱。
3.問(wèn)答題封裝前的準(zhǔn)備過(guò)程包括哪些？目的如何？
4.問(wèn)答題描述封裝工藝的流程，并說(shuō)明每一步的目的？
5.問(wèn)答題封裝有哪些功能？
最新試題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題