填空題CMOS反相器噪聲容限的定義有()和()。
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2.填空題二極管的反向擊穿類型有()和()。
3.問(wèn)答題寫出互連線電容模型可用平行板電容模型等效,導(dǎo)線總電容的公式。
4.問(wèn)答題寫出二極管電流ID與電壓VD的關(guān)系表達(dá)式。
最新試題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型:判斷題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題