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【簡答題】簡述CVD工藝的的工藝流程
答案:
(1)氣體或氣相源材料進(jìn)入反應(yīng)器
(2)源材料擴(kuò)散穿過邊界層并接觸襯底
(3)源材料吸附在襯底表面<...
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【簡答題】熱生長氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么?
答案:
生長的薄膜與消耗的硅襯底,淀積的薄膜不消耗硅襯底。熱生長的二氧化硅來自氣相氧,硅來自襯底,當(dāng)薄膜生長進(jìn)入襯底時(shí),這個(gè)過程...
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【簡答題】半導(dǎo)體工藝中常用的三種CVD反應(yīng)器類型
答案:
APCVD:常壓化學(xué)氣相淀積
LPCVD: 低壓化學(xué)氣相淀積 &e...
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